Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
3.8 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
1206 ChipFET
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
156 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.4V
Maximální ztrátový výkon
3.1 W
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Materiál tranzistoru
Si
Anzahl der Elemente pro Chip
2
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
3.1mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
7 nC při 5 V
Breite
1.7mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.1mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Dvoukanálový MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,17
Each (In a Pack of 20) (bez DPH)
Štandardný
20
€ 0,17
Each (In a Pack of 20) (bez DPH)
Štandardný
20
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
3.8 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
1206 ChipFET
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
156 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.4V
Maximální ztrátový výkon
3.1 W
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Materiál tranzistoru
Si
Anzahl der Elemente pro Chip
2
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
3.1mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
7 nC při 5 V
Breite
1.7mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.1mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku