DÔLEŽITÉ OZNÁMENIE O ZMENE PRÁVNEHO SUBJEKTU

1. apríla meníme právnu subjektivitu na RS Components GmbH, nové číslo VAT , ako aj bankové údaje.

Kliknutím sem získate všetky potrebné informácie.

MOSFET SI5935CDC-T1-GE3 P-kanálový 3,8 A 20 V, 1206 ChipFET, počet kolíků: 8 dvojitý Izolovaný Si

Skladové číslo RS: 818-1352Značka: VishayČíslo dielu výrobcu: SI5935CDC-T1-GE3
brand-logo
View all in MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Vishay

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

3.8 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

20 V

Gehäusegröße

1206 ChipFET

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

8

Maximální odpor kolektor/zdroj

156 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

0.4V

Maximální ztrátový výkon

3.1 W

Konfigurace tranzistoru

Isolated

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-8 V, +8 V

Materiál tranzistoru

Si

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Betriebstemperatur max.

150 °C

Länge

3.1mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

7 nC při 5 V

Breite

1.7mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

1.1mm

Krajina pôvodu

China

Podrobnosti o výrobku

Dvoukanálový MOSFET, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 0,17

Each (In a Pack of 20) (bez DPH)

MOSFET SI5935CDC-T1-GE3 P-kanálový 3,8 A 20 V, 1206 ChipFET, počet kolíků: 8 dvojitý Izolovaný Si
Vyberte typ balenia

€ 0,17

Each (In a Pack of 20) (bez DPH)

MOSFET SI5935CDC-T1-GE3 P-kanálový 3,8 A 20 V, 1206 ChipFET, počet kolíků: 8 dvojitý Izolovaný Si
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Vyberte typ balenia

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Vishay

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

3.8 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

20 V

Gehäusegröße

1206 ChipFET

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

8

Maximální odpor kolektor/zdroj

156 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

0.4V

Maximální ztrátový výkon

3.1 W

Konfigurace tranzistoru

Isolated

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-8 V, +8 V

Materiál tranzistoru

Si

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Betriebstemperatur max.

150 °C

Länge

3.1mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

7 nC při 5 V

Breite

1.7mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

1.1mm

Krajina pôvodu

China

Podrobnosti o výrobku

Dvoukanálový MOSFET, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more