MOSFET SIR462DP-T1-GE3 N-kanálový 19 A 30 V, PowerPAK SO-8, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
19 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
PowerPAK SO-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
8 m Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
4.8 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
20 nC při 10 V, 8,8 nC při 4,5 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
4.9mm
Breite
5.89mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.04mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET N-Channel, 30 až 50 V, společnost Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,844
Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Štandardný
5
€ 0,844
Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Štandardný
5
Kúpiť hromadne
| množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 0,844 | € 4,22 |
| 50 - 245 | € 0,802 | € 4,01 |
| 250 - 495 | € 0,592 | € 2,96 |
| 500 - 1245 | € 0,55 | € 2,75 |
| 1250+ | € 0,49 | € 2,45 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
19 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
PowerPAK SO-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
8 m Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
4.8 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
20 nC při 10 V, 8,8 nC při 4,5 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
4.9mm
Breite
5.89mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.04mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET N-Channel, 30 až 50 V, společnost Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products