Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTransistor-Typ
PNP
Kollektor-Emitter-
50 V (NPN), -50 V (PNP)
Gehäusegröße
SOT-723
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
600 mW
Minimální proudový zisk DC
160
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí emitoru
6 V
Počet kolíků
3
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Typický vstupní rezistor
10 kΩ
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Maximální pracovní teplota
150 °C
Typický odporový poměr
None
Abmessungen
1.25 x 0.85 x 0.55mm
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
200
P.O.A.
200
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTransistor-Typ
PNP
Kollektor-Emitter-
50 V (NPN), -50 V (PNP)
Gehäusegröße
SOT-723
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
600 mW
Minimální proudový zisk DC
160
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí emitoru
6 V
Počet kolíků
3
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Typický vstupní rezistor
10 kΩ
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Maximální pracovní teplota
150 °C
Typický odporový poměr
None
Abmessungen
1.25 x 0.85 x 0.55mm