Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTransistor-Typ
NPN
Dauer-Kollektorstrom max.
10 A dc
Maximální napětí emitoru/kolektoru
60 V dc
Maximální bázové napětí emitoru
5 V dc
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Konfigurace
Single
Konfigurace tranzistoru
Single
Počet prvků na čip
1
Minimální proudový zisk DC
1000
Maximální bázové napětí kolektoru
60 V dc
Maximální napětí při saturaci emitoru/kolektoru
3 V dc
Länge
10.53mm
Höhe
15.75mm
Breite
4.83mm
Maximální ztrátový výkon
65 W
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Abmessungen
10.53 x 4.83 x 15.75mm
Maximální pracovní teplota
150 °C
Krajina pôvodu
China
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,993
Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
€ 0,993
Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTransistor-Typ
NPN
Dauer-Kollektorstrom max.
10 A dc
Maximální napětí emitoru/kolektoru
60 V dc
Maximální bázové napětí emitoru
5 V dc
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Konfigurace
Single
Konfigurace tranzistoru
Single
Počet prvků na čip
1
Minimální proudový zisk DC
1000
Maximální bázové napětí kolektoru
60 V dc
Maximální napětí při saturaci emitoru/kolektoru
3 V dc
Länge
10.53mm
Höhe
15.75mm
Breite
4.83mm
Maximální ztrátový výkon
65 W
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Abmessungen
10.53 x 4.83 x 15.75mm
Maximální pracovní teplota
150 °C
Krajina pôvodu
China