Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTransistor-Typ
NPN
Dauer-Kollektorstrom max.
10 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
60 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Gehäusegröße
TO-247
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Počet prvků na čip
1
Minimální proudový zisk DC
500
Maximální bázové napětí při saturaci emitoru
3.5 V
Maximální bázové napětí kolektoru
60 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
3 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
2mA
Höhe
5.3mm
Breite
16.26mm
Maximální ztrátový výkon
125 W
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Abmessungen
21.08 x 16.26 x 5.3mm
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
21.08mm
Podrobnosti o výrobku
NPN Darlington Transistory on Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 1,887
Each (In a Tube of 30) (bez DPH)
30
€ 1,887
Each (In a Tube of 30) (bez DPH)
30
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Tuba |
---|---|---|
30 - 90 | € 1,887 | € 56,61 |
120 - 480 | € 1,538 | € 46,14 |
510 - 990 | € 1,303 | € 39,10 |
1020 - 2490 | € 1,279 | € 38,37 |
2520+ | € 1,278 | € 38,33 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTransistor-Typ
NPN
Dauer-Kollektorstrom max.
10 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
60 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Gehäusegröße
TO-247
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Počet prvků na čip
1
Minimální proudový zisk DC
500
Maximální bázové napětí při saturaci emitoru
3.5 V
Maximální bázové napětí kolektoru
60 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
3 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
2mA
Höhe
5.3mm
Breite
16.26mm
Maximální ztrátový výkon
125 W
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Abmessungen
21.08 x 16.26 x 5.3mm
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
21.08mm
Podrobnosti o výrobku
NPN Darlington Transistory on Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.