Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTransistor-Typ
PNP
Dauer-Kollektorstrom max.
10 (Peak) A, 6 (nepřetržitý průtok) A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
100 V dc
Maximální bázové napětí emitoru
5 V dc
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Konfiguration
Single
Počet prvků na čip
1
Minimální proudový zisk DC
15
Maximální bázové napětí kolektoru
100 V dc
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
1.5 V dc
Maximální zbytkový proud kolektoru
400µA
Abmessungen
10.53 x 4.83 x 15.75mm
Höhe
15.75mm
Breite
4.83mm
Maximální ztrátový výkon
65 W
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
10.53mm
Bázový proud
2A
Krajina pôvodu
China
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,654
Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
€ 0,654
Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Tuba |
---|---|---|
50 - 50 | € 0,654 | € 32,71 |
100 - 450 | € 0,475 | € 23,73 |
500 - 950 | € 0,445 | € 22,24 |
1000+ | € 0,434 | € 21,69 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTransistor-Typ
PNP
Dauer-Kollektorstrom max.
10 (Peak) A, 6 (nepřetržitý průtok) A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
100 V dc
Maximální bázové napětí emitoru
5 V dc
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Konfiguration
Single
Počet prvků na čip
1
Minimální proudový zisk DC
15
Maximální bázové napětí kolektoru
100 V dc
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
1.5 V dc
Maximální zbytkový proud kolektoru
400µA
Abmessungen
10.53 x 4.83 x 15.75mm
Höhe
15.75mm
Breite
4.83mm
Maximální ztrátový výkon
65 W
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
10.53mm
Bázový proud
2A
Krajina pôvodu
China