Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Zbytkový proud drain-source Idss
24 to 60mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
25 V
Konfigurace tranzistoru
Single
Konfigurace
Single
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SOT-23-8
Pinanzahl
3
Zdrojová kapacitance řídicí elektrody v zap. stavu
5pF
Abmessungen
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Länge
3.04mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Breite
1.4mm
Höhe
1.01mm
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový JFET, on Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
€ 1,30
€ 0,13 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Štandardný
10
€ 1,30
€ 0,13 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
10
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Množstvo | Jednotková cena | Balík |
---|---|---|
10 - 90 | € 0,13 | € 1,30 |
100 - 240 | € 0,112 | € 1,12 |
250 - 490 | € 0,097 | € 0,97 |
500 - 990 | € 0,085 | € 0,85 |
1000+ | € 0,078 | € 0,78 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Zbytkový proud drain-source Idss
24 to 60mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
25 V
Konfigurace tranzistoru
Single
Konfigurace
Single
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SOT-23-8
Pinanzahl
3
Zdrojová kapacitance řídicí elektrody v zap. stavu
5pF
Abmessungen
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Länge
3.04mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Breite
1.4mm
Höhe
1.01mm
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový JFET, on Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.