Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
SemikronMaximální stejnosměrný proud kolektoru
30 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
600 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
±20V
Gehäusegröße
SEMITOP3
Konfigurace
Series
Montage-Typ
Through Hole
Typ kanálu
N
Pinanzahl
36
Konfigurace tranzistoru
Series
Abmessungen
55 x 31 x 15.43mm
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Betriebstemperatur max.
175 °C
Krajina pôvodu
Italy
Podrobnosti o výrobku
Moduly Quad IGBT
Konfigurace těchto modulů Semikron Quad IGBT je perfektním řešením pro aplikace vyžadující vysoce výkonnou topologii 3 úrovní. Tyto kompaktní moduly SEMITOP 3 pro montáž na PCB jsou vybaveny upevněním jedním otvorem s vynikajícím přenosem tepla a využívají technologii Trench IGBT. Mezi typické aplikace patří 3úrovňové invertory DC-AC a napájecí zdroje UPS.
IGBT Modules, Semikron
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
P.O.A.
1
P.O.A.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
1
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
SemikronMaximální stejnosměrný proud kolektoru
30 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
600 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
±20V
Gehäusegröße
SEMITOP3
Konfigurace
Series
Montage-Typ
Through Hole
Typ kanálu
N
Pinanzahl
36
Konfigurace tranzistoru
Series
Abmessungen
55 x 31 x 15.43mm
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Betriebstemperatur max.
175 °C
Krajina pôvodu
Italy
Podrobnosti o výrobku
Moduly Quad IGBT
Konfigurace těchto modulů Semikron Quad IGBT je perfektním řešením pro aplikace vyžadující vysoce výkonnou topologii 3 úrovní. Tyto kompaktní moduly SEMITOP 3 pro montáž na PCB jsou vybaveny upevněním jedním otvorem s vynikajícím přenosem tepla a využívají technologii Trench IGBT. Mezi typické aplikace patří 3úrovňové invertory DC-AC a napájecí zdroje UPS.
IGBT Modules, Semikron
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.