Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
4 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
350 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Počet prvků na čip
1
Minimální proudový zisk DC
500
Maximální bázové napětí při saturaci emitoru
1.8 V
Maximální napětí při saturaci emitoru/kolektoru
2 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
500µA
Länge
6.6mm
Höhe
6.2mm
Breite
2.4mm
Abmessungen
6.6 x 2.4 x 6.2mm
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Maximální ztrátový výkon
100 W
Podrobnosti o výrobku
NPN Darlington Transistory, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
€ 10,30
€ 0,515 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Výrobné balenie (Tuba)
20
€ 10,30
€ 0,515 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Výrobné balenie (Tuba)
20
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
4 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
350 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Počet prvků na čip
1
Minimální proudový zisk DC
500
Maximální bázové napětí při saturaci emitoru
1.8 V
Maximální napětí při saturaci emitoru/kolektoru
2 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
500µA
Länge
6.6mm
Höhe
6.2mm
Breite
2.4mm
Abmessungen
6.6 x 2.4 x 6.2mm
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Maximální ztrátový výkon
100 W
Podrobnosti o výrobku
NPN Darlington Transistory, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.