Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp tranzistoru
PNP
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
10 (Peak) A, 6 (nepřetržitý průtok) A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
100 V dc
Maximální bázové napětí emitoru
5 V dc
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Konfigurace
Single
Počet prvků na čip
1
Minimální proudový zisk DC
15
Maximální bázové napětí kolektoru
100 V dc
Maximální napětí při saturaci emitoru/kolektoru
1.5 V dc
Maximální zbytkový proud kolektoru
400µA
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Länge
10.53mm
Bázový proud
2A
Abmessungen
10.53 x 4.83 x 15.75mm
Höhe
15.75mm
Breite
4.83mm
Maximální ztrátový výkon
65 W
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Krajina pôvodu
China
P.O.A.
Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
P.O.A.
Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
50
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp tranzistoru
PNP
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
10 (Peak) A, 6 (nepřetržitý průtok) A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
100 V dc
Maximální bázové napětí emitoru
5 V dc
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Konfigurace
Single
Počet prvků na čip
1
Minimální proudový zisk DC
15
Maximální bázové napětí kolektoru
100 V dc
Maximální napětí při saturaci emitoru/kolektoru
1.5 V dc
Maximální zbytkový proud kolektoru
400µA
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Länge
10.53mm
Bázový proud
2A
Abmessungen
10.53 x 4.83 x 15.75mm
Höhe
15.75mm
Breite
4.83mm
Maximální ztrátový výkon
65 W
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Krajina pôvodu
China