Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTransistor-Typ
NPN
Dauer-Kollektorstrom max.
2 A
Kollektor-Emitter-
100 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Počet prvků na čip
1
Minimální proudový zisk DC
500
Maximální bázové napětí kolektoru
100 V
Maximální napětí při saturaci emitoru/kolektoru
2.5 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
1mA
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
10.4mm
Šířka
4.6mm
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Höhe
9.15mm
Abmessungen
10.4 x 4.6 x 9.15mm
Podrobnosti o výrobku
NPN Darlington Transistory, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,645
Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
10
€ 0,645
Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
10
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Balík |
---|---|---|
10 - 90 | € 0,645 | € 6,45 |
100 - 490 | € 0,451 | € 4,51 |
500 - 990 | € 0,392 | € 3,92 |
1000 - 1990 | € 0,333 | € 3,33 |
2000+ | € 0,312 | € 3,12 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTransistor-Typ
NPN
Dauer-Kollektorstrom max.
2 A
Kollektor-Emitter-
100 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Počet prvků na čip
1
Minimální proudový zisk DC
500
Maximální bázové napětí kolektoru
100 V
Maximální napětí při saturaci emitoru/kolektoru
2.5 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
1mA
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
10.4mm
Šířka
4.6mm
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Höhe
9.15mm
Abmessungen
10.4 x 4.6 x 9.15mm
Podrobnosti o výrobku
NPN Darlington Transistory, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.