Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTransistor-Typ
PNP
Dauer-Kollektorstrom max.
10 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
100 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Gehäusegröße
TO-247
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Počet prvků na čip
1
Minimální proudový zisk DC
500
Maximální bázové napětí kolektoru
100 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
3 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
1mA
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
15.75mm
Höhe
20.15mm
Breite
5.15mm
Abmessungen
15.75 x 5.15 x 20.15mm
Podrobnosti o výrobku
PnP Darlington Transistory, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 1,172
Each (In a Tube of 30) (bez DPH)
30
€ 1,172
Each (In a Tube of 30) (bez DPH)
30
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Tuba |
---|---|---|
30 - 60 | € 1,172 | € 35,15 |
90 - 210 | € 0,888 | € 26,65 |
240 - 480 | € 0,861 | € 25,83 |
510+ | € 0,754 | € 22,61 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTransistor-Typ
PNP
Dauer-Kollektorstrom max.
10 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
100 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Gehäusegröße
TO-247
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Počet prvků na čip
1
Minimální proudový zisk DC
500
Maximální bázové napětí kolektoru
100 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
3 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
1mA
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
15.75mm
Höhe
20.15mm
Breite
5.15mm
Abmessungen
15.75 x 5.15 x 20.15mm
Podrobnosti o výrobku
PnP Darlington Transistory, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.