Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
BournsTransistor-Typ
NPN
Dauer-Kollektorstrom max.
5 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
80 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Počet prvků na čip
1
Minimální proudový zisk DC
1000
Maximální bázové napětí kolektoru
80 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
4 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
0.2mA
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Höhe
8.72mm
Abmessungen
10.4 x 4.7 x 8.72mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
10.4mm
Breite
4.7mm
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
BournsTransistor-Typ
NPN
Dauer-Kollektorstrom max.
5 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
80 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Počet prvků na čip
1
Minimální proudový zisk DC
1000
Maximální bázové napětí kolektoru
80 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
4 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
0.2mA
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Höhe
8.72mm
Abmessungen
10.4 x 4.7 x 8.72mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
10.4mm
Breite
4.7mm