Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
500 mA
Maximální napětí emitoru/kolektoru
60 V
Maximální bázové napětí emitoru
10 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Konfigurace
Single
Konfigurace tranzistoru
Single
Počet prvků na čip
1
Minimální proudový zisk DC
2000
Maximální bázové napětí při saturaci emitoru
1.5 V
Maximální napětí při saturaci emitoru/kolektoru
1 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
0.01mA
Länge
2.9mm
Höhe
0.9mm
Breite
1.3mm
Maximální ztrátový výkon
360 mW
Abmessungen
2.9 x 1.3 x 0.9mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory Darlington, Infineon
Bipolar Transistors, Infineon
€ 161,47
€ 0,054 Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
€ 161,47
€ 0,054 Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
3000
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
500 mA
Maximální napětí emitoru/kolektoru
60 V
Maximální bázové napětí emitoru
10 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Konfigurace
Single
Konfigurace tranzistoru
Single
Počet prvků na čip
1
Minimální proudový zisk DC
2000
Maximální bázové napětí při saturaci emitoru
1.5 V
Maximální napětí při saturaci emitoru/kolektoru
1 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
0.01mA
Länge
2.9mm
Höhe
0.9mm
Breite
1.3mm
Maximální ztrátový výkon
360 mW
Abmessungen
2.9 x 1.3 x 0.9mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku


