Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTransistor-Typ
NPN
Dauer-Kollektorstrom max.
1 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
60 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Gehäusegröße
SOT223
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3 + Tab
Konfigurace tranzistoru
Single
Počet prvků na čip
1
Minimální proudový zisk DC
1000
Maximální bázové napětí při saturaci emitoru
1.9 V
Maximální bázové napětí kolektoru
80 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
1.3 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
0.00005mA
Höhe
1.7mm
Breite
3.7mm
Abmessungen
6.7 x 3.7 x 1.7mm
Maximální ztrátový výkon
1.25 W
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
6.7mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Darlington Transistory, Nexperia
Bipolar Transistors, Nexperia
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,465
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
10
€ 0,465
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
10
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTransistor-Typ
NPN
Dauer-Kollektorstrom max.
1 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
60 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Gehäusegröße
SOT223
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3 + Tab
Konfigurace tranzistoru
Single
Počet prvků na čip
1
Minimální proudový zisk DC
1000
Maximální bázové napětí při saturaci emitoru
1.9 V
Maximální bázové napětí kolektoru
80 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
1.3 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
0.00005mA
Höhe
1.7mm
Breite
3.7mm
Abmessungen
6.7 x 3.7 x 1.7mm
Maximální ztrátový výkon
1.25 W
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
6.7mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku