Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp tranzistoru
PNP
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
-1 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
80 V
Maximální bázové napětí emitoru
-5 V
Gehäusegröße
SOT223
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3 + Tab
Konfigurace tranzistoru
Single
Počet prvků na čip
1
Minimální proudový zisk DC
1000
Maximální bázové napětí při saturaci emitoru
-1.9 V
Maximální bázové napětí kolektoru
-90 V
Maximální napětí při saturaci emitoru/kolektoru
-1.3 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
-50nA
Höhe
1.7mm
Breite
3.7mm
Maximální ztrátový výkon
1.25 W
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Abmessungen
6.7 x 3.7 x 1.7mm
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Länge
6.7mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Darlington Transistory, Nexperia
Bipolar Transistors, Nexperia
€ 199,86
€ 0,20 Each (On a Reel of 1000) (bez DPH)
1000
€ 199,86
€ 0,20 Each (On a Reel of 1000) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
1000
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp tranzistoru
PNP
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
-1 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
80 V
Maximální bázové napětí emitoru
-5 V
Gehäusegröße
SOT223
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3 + Tab
Konfigurace tranzistoru
Single
Počet prvků na čip
1
Minimální proudový zisk DC
1000
Maximální bázové napětí při saturaci emitoru
-1.9 V
Maximální bázové napětí kolektoru
-90 V
Maximální napětí při saturaci emitoru/kolektoru
-1.3 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
-50nA
Höhe
1.7mm
Breite
3.7mm
Maximální ztrátový výkon
1.25 W
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Abmessungen
6.7 x 3.7 x 1.7mm
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Länge
6.7mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku


