Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTyp tranzistoru
NPN
Maximum Continuous Collector Current
500 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
2 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Package Type
PDIP, PDIP
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
16
Konfigurace tranzistoru
Common Emitter
Number of Elements per Chip
7
Minimum DC Current Gain
1000
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1.6 V
Height
3.43mm
Breite
6.85mm
Abmessungen
19.55 x 6.85 x 3.43mm
Minimum Operating Temperature
-20 °C
Maximální pracovní teplota
+85 °C
Länge
19.55mm
Podrobnosti o výrobku
NPN Darlington Transistory on Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
P.O.A.
Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Výrobné balenie (Tuba)
5
P.O.A.
Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Tuba)
5
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTyp tranzistoru
NPN
Maximum Continuous Collector Current
500 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
2 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Package Type
PDIP, PDIP
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
16
Konfigurace tranzistoru
Common Emitter
Number of Elements per Chip
7
Minimum DC Current Gain
1000
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1.6 V
Height
3.43mm
Breite
6.85mm
Abmessungen
19.55 x 6.85 x 3.43mm
Minimum Operating Temperature
-20 °C
Maximální pracovní teplota
+85 °C
Länge
19.55mm
Podrobnosti o výrobku
NPN Darlington Transistory on Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.


