řada: MegaFETMOSFET RFP50N06 N-kanálový 50 A 60 V, TO-220AB, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
50 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
TO-220, TO-220AB
Řada
MegaFET
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
22 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
131 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Betriebstemperatur max.
175 °C
Länge
10.67mm
Breite
4.83mm
Materiál tranzistoru
Si
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
125 nC při 20 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
9.4mm
Podrobnosti o výrobku
MegaFET MOSFET, Fairchild Semiconductor
Proces MegaFET, který používá velikosti funkcí, které se blíží rozměrům integrovaných obvodů LSI, poskytuje optimální využití křemíku, což má za následek vynikající výkon.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 1,89
Each (Supplied as a Tape) (bez DPH)
Výrobné balenie (Páska)
1
€ 1,89
Each (Supplied as a Tape) (bez DPH)
Výrobné balenie (Páska)
1
Kúpiť hromadne
| množstvo | Jednotková cena |
|---|---|
| 1 - 9 | € 1,89 |
| 10+ | € 1,64 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
50 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
TO-220, TO-220AB
Řada
MegaFET
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
22 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
131 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Betriebstemperatur max.
175 °C
Länge
10.67mm
Breite
4.83mm
Materiál tranzistoru
Si
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
125 nC při 20 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
9.4mm
Podrobnosti o výrobku
MegaFET MOSFET, Fairchild Semiconductor
Proces MegaFET, který používá velikosti funkcí, které se blíží rozměrům integrovaných obvodů LSI, poskytuje optimální využití křemíku, což má za následek vynikající výkon.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products