Tranzistor Darlington MMBTA28 NPN 800 mA 80 V HFE:10000, SOT-23, počet kolíků: 3 Jednoduchý
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
800 mA
Maximální napětí emitoru/kolektoru
80 V
Maximální bázové napětí emitoru
12 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Počet prvků na čip
1
Minimální proudový zisk DC
10000
Maximální bázové napětí kolektoru
80 V
Maximální napětí při saturaci emitoru/kolektoru
1.5 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
100nA
Höhe
1.02mm
Breite
1.4mm
Maximální ztrátový výkon
350 mW
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Abmessungen
2.51 x 1.4 x 1.02mm
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Länge
2.51mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory Darlington NPN, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 318,89
€ 0,106 Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
€ 318,89
€ 0,106 Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
3000
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
800 mA
Maximální napětí emitoru/kolektoru
80 V
Maximální bázové napětí emitoru
12 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Počet prvků na čip
1
Minimální proudový zisk DC
10000
Maximální bázové napětí kolektoru
80 V
Maximální napětí při saturaci emitoru/kolektoru
1.5 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
100nA
Höhe
1.02mm
Breite
1.4mm
Maximální ztrátový výkon
350 mW
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Abmessungen
2.51 x 1.4 x 1.02mm
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Länge
2.51mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory Darlington NPN, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products