Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
800 mA
Maximální napětí emitoru/kolektoru
80 V
Maximální bázové napětí emitoru
12 V
Gehäusegröße
SOT223
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3 + Tab
Konfigurace tranzistoru
Single
Počet prvků na čip
1
Minimální proudový zisk DC
10000
Maximální bázové napětí při saturaci emitoru
2 V
Maximální bázové napětí kolektoru
80 V
Maximální napětí při saturaci emitoru/kolektoru
1.5 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
500nA
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
1.6mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Abmessungen
6.5 x 3.56 x 1.6mm
Breite
3.56mm
Maximální ztrátový výkon
1 W
Länge
6.5mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory Darlington NPN, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
€ 5,50
€ 0,11 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
50
€ 5,50
€ 0,11 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Cievka)
50
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
800 mA
Maximální napětí emitoru/kolektoru
80 V
Maximální bázové napětí emitoru
12 V
Gehäusegröße
SOT223
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3 + Tab
Konfigurace tranzistoru
Single
Počet prvků na čip
1
Minimální proudový zisk DC
10000
Maximální bázové napětí při saturaci emitoru
2 V
Maximální bázové napětí kolektoru
80 V
Maximální napětí při saturaci emitoru/kolektoru
1.5 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
500nA
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
1.6mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Abmessungen
6.5 x 3.56 x 1.6mm
Breite
3.56mm
Maximální ztrátový výkon
1 W
Länge
6.5mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory Darlington NPN, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.


