Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTransistor-Typ
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
5 A dc
Kollektor-Emitter-
60 V dc
Maximální bázové napětí emitoru
5 V dc
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Konfiguration
Single
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Minimální proudový zisk DC
500
Maximální bázové napětí kolektoru
60 V dc
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
2.5 V dc
Breite
4.83mm
Maximální ztrátový výkon
50 W
Höhe
15.75mm
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Abmessungen
10.53 x 4.83 x 15.75mm
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
10.53mm
Krajina pôvodu
China
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 16,36
Each (In a Pack of 25) (bez DPH)
25
€ 16,36
Each (In a Pack of 25) (bez DPH)
25
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena |
---|---|
1 - 3 | € 16,36 |
4 - 19 | € 11,81 |
20 - 39 | € 10,07 |
40 - 99 | € 8,72 |
100+ | € 8,47 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTransistor-Typ
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
5 A dc
Kollektor-Emitter-
60 V dc
Maximální bázové napětí emitoru
5 V dc
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Konfiguration
Single
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Minimální proudový zisk DC
500
Maximální bázové napětí kolektoru
60 V dc
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
2.5 V dc
Breite
4.83mm
Maximální ztrátový výkon
50 W
Höhe
15.75mm
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Abmessungen
10.53 x 4.83 x 15.75mm
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
10.53mm
Krajina pôvodu
China