Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTransistor-Typ
PNP
Dauer-Kollektorstrom max.
2 (kontinuální) A, 4 (špičkový) A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
100 V dc
Maximální bázové napětí emitoru
5 V dc
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Konfiguration
Single
Počet prvků na čip
1
Minimální proudový zisk DC
500
Maximální bázové napětí kolektoru
100 V dc
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
2.5 V dc
Maximální zbytkový proud kolektoru
2mA
Breite
4.83mm
Maximální ztrátový výkon
50 W
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Abmessungen
10.53 x 4.83 x 15.75mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
10.53mm
Bázový proud
50mA
Höhe
15.75mm
Krajina pôvodu
China
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,481
Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
€ 0,481
Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Tuba |
---|---|---|
50 - 50 | € 0,481 | € 24,07 |
100 - 450 | € 0,349 | € 17,45 |
500 - 950 | € 0,301 | € 15,03 |
1000 - 2450 | € 0,293 | € 14,65 |
2500+ | € 0,286 | € 14,29 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTransistor-Typ
PNP
Dauer-Kollektorstrom max.
2 (kontinuální) A, 4 (špičkový) A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
100 V dc
Maximální bázové napětí emitoru
5 V dc
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Konfiguration
Single
Počet prvků na čip
1
Minimální proudový zisk DC
500
Maximální bázové napětí kolektoru
100 V dc
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
2.5 V dc
Maximální zbytkový proud kolektoru
2mA
Breite
4.83mm
Maximální ztrátový výkon
50 W
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Abmessungen
10.53 x 4.83 x 15.75mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
10.53mm
Bázový proud
50mA
Höhe
15.75mm
Krajina pôvodu
China