Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTransistor-Typ
NPN
Dauer-Kollektorstrom max.
10 A
Kollektor-Emitter-
60 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Gehäusegröße
TO-247
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Počet prvků na čip
1
Minimální proudový zisk DC
500
Maximální bázové napětí při saturaci emitoru
3,5 V
Maximální bázové napětí kolektoru
60 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
3 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
2mA
Höhe
5.3mm
Breite
16.26mm
Maximální ztrátový výkon
125 W
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Abmessungen
21.08 x 16.26 x 5.3mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
21.08mm
Podrobnosti o výrobku
NPN Darlington Transistory on Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,976
Each (In a Tube of 30) (bez DPH)
30
€ 0,976
Each (In a Tube of 30) (bez DPH)
30
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTransistor-Typ
NPN
Dauer-Kollektorstrom max.
10 A
Kollektor-Emitter-
60 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Gehäusegröße
TO-247
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Počet prvků na čip
1
Minimální proudový zisk DC
500
Maximální bázové napětí při saturaci emitoru
3,5 V
Maximální bázové napětí kolektoru
60 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
3 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
2mA
Höhe
5.3mm
Breite
16.26mm
Maximální ztrátový výkon
125 W
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Abmessungen
21.08 x 16.26 x 5.3mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
21.08mm
Podrobnosti o výrobku
NPN Darlington Transistory on Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.