Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTransistor-Typ
NPN
Dauer-Kollektorstrom max.
10 (nepřetržitý) A, 15 (špičkový) A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
100 V dc
Maximální bázové napětí emitoru
5 V dc
Gehäusegröße
TO-218
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Konfiguration
Single
Počet prvků na čip
1
Minimální proudový zisk DC
20
Maximální bázové napětí kolektoru
100 V dc
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
4 V dc
Maximální zbytkový proud kolektoru
0.7mA
Höhe
20.35mm
Breite
4.9mm
Maximální ztrátový výkon
80 W
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Abmessungen
15.2 x 4.9 x 20.35mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
15.2mm
Bázový proud
3A
Krajina pôvodu
China
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 1,636
Each (In a Tube of 30) (bez DPH)
30
€ 1,636
Each (In a Tube of 30) (bez DPH)
30
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Tuba |
---|---|---|
30 - 90 | € 1,636 | € 49,07 |
120 - 480 | € 1,341 | € 40,23 |
510 - 990 | € 1,136 | € 34,09 |
1020 - 2490 | € 1,014 | € 30,42 |
2520+ | € 1,013 | € 30,38 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTransistor-Typ
NPN
Dauer-Kollektorstrom max.
10 (nepřetržitý) A, 15 (špičkový) A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
100 V dc
Maximální bázové napětí emitoru
5 V dc
Gehäusegröße
TO-218
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Konfiguration
Single
Počet prvků na čip
1
Minimální proudový zisk DC
20
Maximální bázové napětí kolektoru
100 V dc
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
4 V dc
Maximální zbytkový proud kolektoru
0.7mA
Höhe
20.35mm
Breite
4.9mm
Maximální ztrátový výkon
80 W
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Abmessungen
15.2 x 4.9 x 20.35mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
15.2mm
Bázový proud
3A
Krajina pôvodu
China