Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Renesas ElectronicsTransistor-Typ
NPN
Dauer-Kollektorstrom max.
4 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
80 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Gehäusegröße
SOT-32
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Počet prvků na čip
1
Minimální proudový zisk DC
750
Maximální bázové napětí kolektoru
80 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
2.5 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
0.2mA
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Höhe
10.8mm
Abmessungen
7.8 x 2.7 x 10.8mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
7.8mm
Breite
2.7mm
Podrobnosti o výrobku
NPN Darlington Transistory, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,50
Each (bez DPH)
Štandardný
1
€ 0,50
Each (bez DPH)
Štandardný
1
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena |
---|---|
1 - 1 | € 0,50 |
2 - 4 | € 0,48 |
5 - 9 | € 0,47 |
10 - 24 | € 0,45 |
25+ | € 0,43 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Renesas ElectronicsTransistor-Typ
NPN
Dauer-Kollektorstrom max.
4 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
80 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Gehäusegröße
SOT-32
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Počet prvků na čip
1
Minimální proudový zisk DC
750
Maximální bázové napětí kolektoru
80 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
2.5 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
0.2mA
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Höhe
10.8mm
Abmessungen
7.8 x 2.7 x 10.8mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
7.8mm
Breite
2.7mm
Podrobnosti o výrobku
NPN Darlington Transistory, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.