Tranzistor Darlington BD679 NPN 4 A 80 V HFE:750, SOT-32, počet kolíků: 3 Jednoduchý
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Renesas ElectronicsTransistor-Typ
NPN
Dauer-Kollektorstrom max.
4 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
80 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Gehäusegröße
SOT-32
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Minimální proudový zisk DC
750
Maximální bázové napětí kolektoru
80 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
2.5 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
0.2mA
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Höhe
10.8mm
Abmessungen
7.8 x 2.7 x 10.8mm
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Länge
7.8mm
Breite
2.7mm
Podrobnosti o výrobku
NPN Darlington Transistory, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 0,50
€ 0,50 Each (bez DPH)
Štandardný
1
€ 0,50
€ 0,50 Each (bez DPH)
Štandardný
1
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
| množstvo | Jednotková cena |
|---|---|
| 1 - 1 | € 0,50 |
| 2 - 4 | € 0,48 |
| 5 - 9 | € 0,47 |
| 10 - 24 | € 0,45 |
| 25+ | € 0,43 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Renesas ElectronicsTransistor-Typ
NPN
Dauer-Kollektorstrom max.
4 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
80 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Gehäusegröße
SOT-32
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Minimální proudový zisk DC
750
Maximální bázové napětí kolektoru
80 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
2.5 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
0.2mA
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Höhe
10.8mm
Abmessungen
7.8 x 2.7 x 10.8mm
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Länge
7.8mm
Breite
2.7mm
Podrobnosti o výrobku
NPN Darlington Transistory, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products