Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
4 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
60 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Gehäusegröße
SOT-32
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Počet prvků na čip
1
Minimální proudový zisk DC
750
Maximální bázové napětí kolektoru
60 V
Maximální napětí při saturaci emitoru/kolektoru
2.5 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
0.2mA
Abmessungen
7.8 x 2.7 x 10.8mm
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Länge
7.8mm
Breite
2.7mm
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Höhe
10.8mm
Podrobnosti o výrobku
NPN Darlington Transistory, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
€ 0,59
€ 0,59 Each (bez DPH)
Štandardný
1
€ 0,59
€ 0,59 Each (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
1
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
4 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
60 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Gehäusegröße
SOT-32
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Počet prvků na čip
1
Minimální proudový zisk DC
750
Maximální bázové napětí kolektoru
60 V
Maximální napětí při saturaci emitoru/kolektoru
2.5 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
0.2mA
Abmessungen
7.8 x 2.7 x 10.8mm
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Länge
7.8mm
Breite
2.7mm
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Höhe
10.8mm
Podrobnosti o výrobku
NPN Darlington Transistory, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.