Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
17 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
250 V
Řada
STripFET II
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
165 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
90 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Länge
6.6mm
Breite
6.2mm
Materiál tranzistoru
Si
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
29,5 nC při 10 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
2.4mm
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ II, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET™ s širokým rozsahem rozkladných napětí nabízejí mimořádně nízké nabití a nízký odpor.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 1,462
Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Štandardný
5
€ 1,462
Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Štandardný
5
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Balík |
---|---|---|
5 - 20 | € 1,462 | € 7,31 |
25 - 45 | € 1,39 | € 6,95 |
50 - 120 | € 1,248 | € 6,24 |
125 - 245 | € 1,122 | € 5,61 |
250+ | € 1,068 | € 5,34 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
17 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
250 V
Řada
STripFET II
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
165 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
90 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Länge
6.6mm
Breite
6.2mm
Materiál tranzistoru
Si
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
29,5 nC při 10 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
2.4mm
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ II, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET™ s širokým rozsahem rozkladných napětí nabízejí mimořádně nízké nabití a nízký odpor.