Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp tranzistoru
PNP
Dauer-Kollektorstrom max.
8 A
Kollektor-Emitter-
60 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Minimální proudový zisk DC
200
Maximální bázové napětí kolektoru
60 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
2.5 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
0.05mA
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
10.4mm
Höhe
9.15mm
Breite
4.6mm
Abmessungen
10.4 x 4.6 x 9.15mm
Podrobnosti o výrobku
PnP Darlington Transistory, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 1,09
Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
5
€ 1,09
Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
5
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Tuba |
---|---|---|
5 - 20 | € 1,09 | € 5,45 |
25 - 45 | € 1,04 | € 5,20 |
50 - 120 | € 0,93 | € 4,65 |
125 - 245 | € 0,84 | € 4,20 |
250+ | € 0,80 | € 4,00 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp tranzistoru
PNP
Dauer-Kollektorstrom max.
8 A
Kollektor-Emitter-
60 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Minimální proudový zisk DC
200
Maximální bázové napětí kolektoru
60 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
2.5 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
0.05mA
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
10.4mm
Höhe
9.15mm
Breite
4.6mm
Abmessungen
10.4 x 4.6 x 9.15mm
Podrobnosti o výrobku
PnP Darlington Transistory, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.