Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTransistor-Typ
NPN
Dauer-Kollektorstrom max.
8 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
100 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Minimální proudový zisk DC
1000
Maximální bázové napětí kolektoru
100 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
4 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
0.2mA
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Höhe
9.15mm
Abmessungen
10.4 x 4.6 x 9.15mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
10.4mm
Breite
4.6mm
Podrobnosti o výrobku
NPN Darlington Transistory, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
Výrobné balenie (Tuba)
1
P.O.A.
Výrobné balenie (Tuba)
1
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTransistor-Typ
NPN
Dauer-Kollektorstrom max.
8 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
100 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Minimální proudový zisk DC
1000
Maximální bázové napětí kolektoru
100 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
4 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
0.2mA
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Höhe
9.15mm
Abmessungen
10.4 x 4.6 x 9.15mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
10.4mm
Breite
4.6mm
Podrobnosti o výrobku
NPN Darlington Transistory, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.