Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp tranzistoru
PNP
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
5 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
60 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Počet prvků na čip
1
Minimální proudový zisk DC
1000
Maximální bázové napětí kolektoru
60 V
Maximální napětí při saturaci emitoru/kolektoru
4 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
0.2mA
Höhe
9.15mm
Abmessungen
10.4 x 4.6 x 9.15mm
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Länge
10.4mm
Breite
4.6mm
Podrobnosti o výrobku
PnP Darlington Transistory, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
€ 4,30
€ 0,43 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Výrobné balenie (Tuba)
10
€ 4,30
€ 0,43 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Výrobné balenie (Tuba)
10
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
množstvo | Jednotková cena |
---|---|
10 - 99 | € 0,43 |
100 - 499 | € 0,32 |
500+ | € 0,31 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp tranzistoru
PNP
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
5 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
60 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Počet prvků na čip
1
Minimální proudový zisk DC
1000
Maximální bázové napětí kolektoru
60 V
Maximální napětí při saturaci emitoru/kolektoru
4 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
0.2mA
Höhe
9.15mm
Abmessungen
10.4 x 4.6 x 9.15mm
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Länge
10.4mm
Breite
4.6mm
Podrobnosti o výrobku
PnP Darlington Transistory, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.