Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp tranzistoru
NPN
Dauer-Kollektorstrom max.
10 A
Kollektor-Emitter-
100 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Gehäusegröße
TO-247
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Minimální proudový zisk DC
500
Maximální bázové napětí kolektoru
100 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
3 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
1mA
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
15.75mm
Höhe
20.15mm
Breite
5.15mm
Abmessungen
15.75 x 5.15 x 20.15mm
Podrobnosti o výrobku
NPN Darlington Transistory, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 1,71
Each (In a Tube of 30) (bez DPH)
30
€ 1,71
Each (In a Tube of 30) (bez DPH)
30
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Tuba |
---|---|---|
30 - 60 | € 1,71 | € 51,30 |
90 - 210 | € 1,34 | € 40,20 |
240 - 480 | € 1,29 | € 38,70 |
510 - 960 | € 1,12 | € 33,60 |
990+ | € 0,96 | € 28,80 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp tranzistoru
NPN
Dauer-Kollektorstrom max.
10 A
Kollektor-Emitter-
100 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Gehäusegröße
TO-247
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Minimální proudový zisk DC
500
Maximální bázové napětí kolektoru
100 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
3 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
1mA
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
15.75mm
Höhe
20.15mm
Breite
5.15mm
Abmessungen
15.75 x 5.15 x 20.15mm
Podrobnosti o výrobku
NPN Darlington Transistory, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.