řada: TKMOSFET TK30E06N1 N-kanálový 43 A 60 V, TO-220, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
43 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Řada
TK
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
15 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Maximální ztrátový výkon
53 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
16 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Breite
4.45mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
10.16mm
Höhe
15.1mm
Podrobnosti o výrobku
MOSFET N-Channel, řada TK3x, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 44,90
€ 0,898 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Výrobné balenie (Tuba)
50
€ 44,90
€ 0,898 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Tuba)
50
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
| Množstvo | Jednotková cena | Tuba |
|---|---|---|
| 50 - 120 | € 0,898 | € 4,49 |
| 125 - 245 | € 0,85 | € 4,25 |
| 250 - 495 | € 0,772 | € 3,86 |
| 500+ | € 0,71 | € 3,55 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
43 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Řada
TK
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
15 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Maximální ztrátový výkon
53 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
16 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Breite
4.45mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
10.16mm
Höhe
15.1mm
Podrobnosti o výrobku
MOSFET N-Channel, řada TK3x, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products