Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTransistor-Typ
NPN
Dauer-Kollektorstrom max.
10 A dc
Kollektor-Emitter-
100 V dc
Maximální bázové napětí emitoru
5 V dc
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Konfiguration
Single
Počet prvků na čip
1
Minimální proudový zisk DC
100
Maximální bázové napětí kolektoru
100 V dc
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
3 V dc
Höhe
16.12mm
Breite
4.9mm
Maximální ztrátový výkon
40 W
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Abmessungen
10.63 x 4.9 x 16.12mm
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
10.63mm
Krajina pôvodu
Korea, Republic Of
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 1,473
Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Výrobné balenie (Tuba)
10
€ 1,473
Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Výrobné balenie (Tuba)
10
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTransistor-Typ
NPN
Dauer-Kollektorstrom max.
10 A dc
Kollektor-Emitter-
100 V dc
Maximální bázové napětí emitoru
5 V dc
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Konfiguration
Single
Počet prvků na čip
1
Minimální proudový zisk DC
100
Maximální bázové napětí kolektoru
100 V dc
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
3 V dc
Höhe
16.12mm
Breite
4.9mm
Maximální ztrátový výkon
40 W
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Abmessungen
10.63 x 4.9 x 16.12mm
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
10.63mm
Krajina pôvodu
Korea, Republic Of