Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Renesas ElectronicsTyp produktu
Tranzistor Darlington
Maximální trvalý kolektorový proud Ic
4A
Maximální napětí kolektoru Vceo
80V
Gehäusegröße
SOT-32
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Počet prvků na čip
1
Minimální zisk stejnosměrného proudu hFE
750
Polarita tranzistoru
NPN
Maximální základní napětí emitoru VEBO
5V
Minimální provozní teplota
-65°C
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT
2.5V
Maximální napětí báze kolektoru VCBO
80V
Betriebstemperatur max.
150°C
Šířka
2.7 mm
Výška
10.8mm
Délka
7.8mm
Normy/schválení
No
Řada
BD679
Maximální zbytkový proud kolektoru
0.2mA
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
NPN Darlington Transistory, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
P.O.A.
Výrobné balenie (Tuba)
1
P.O.A.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Tuba)
1
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Renesas ElectronicsTyp produktu
Tranzistor Darlington
Maximální trvalý kolektorový proud Ic
4A
Maximální napětí kolektoru Vceo
80V
Gehäusegröße
SOT-32
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Počet prvků na čip
1
Minimální zisk stejnosměrného proudu hFE
750
Polarita tranzistoru
NPN
Maximální základní napětí emitoru VEBO
5V
Minimální provozní teplota
-65°C
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT
2.5V
Maximální napětí báze kolektoru VCBO
80V
Betriebstemperatur max.
150°C
Šířka
2.7 mm
Výška
10.8mm
Délka
7.8mm
Normy/schválení
No
Řada
BD679
Maximální zbytkový proud kolektoru
0.2mA
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
NPN Darlington Transistory, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.


