Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
Výkonový MOSFET MDmesh V
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
12A
Maximální napětí na zdroji Vds
650V
Gehäusegröße
TO-220FP
Řada
MDmesh M5
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
0.299Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon Pd
90W
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
45nC
Přímé napětí Vf
1.5V
Maximální provozní teplota
150°C
Výška
9.3mm
Délka
10.4mm
Normy/schválení
NACE MR0175, ASME B16.34, API 607, ISO 5211
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, Compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 58,40
€ 2,92 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Výrobné balenie (Tuba)
20
€ 58,40
€ 2,92 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Tuba)
20
| Množstvo | Jednotková cena | Tuba |
|---|---|---|
| 20 - 98 | € 2,92 | € 5,84 |
| 100 - 198 | € 2,225 | € 4,45 |
| 200+ | € 1,975 | € 3,95 |
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
Výkonový MOSFET MDmesh V
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
12A
Maximální napětí na zdroji Vds
650V
Gehäusegröße
TO-220FP
Řada
MDmesh M5
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
0.299Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon Pd
90W
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
45nC
Přímé napětí Vf
1.5V
Maximální provozní teplota
150°C
Výška
9.3mm
Délka
10.4mm
Normy/schválení
NACE MR0175, ASME B16.34, API 607, ISO 5211
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, Compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.