Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
45A
Maximální napětí na zdroji Vds
1200V
Typ balení
Hip-247
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
100mΩ
Režim kanálu
Enhancement
Maximální ztrátový výkon Pd
270W
Typický náboj brány Qg @ Vgs
105nC
Maximální napětí zdroje brány Vgs
-10, +25V
Betriebstemperatur min.
-55°C
Přímé napětí Vf
3.5V
Maximální pracovní teplota
200°C
Höhe
20.15mm
Délka
15.75mm
Normy/schválení
No
Šířka
5.15mm
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
Silicon carbide (SiC) MOSFETs feature very low static drain-source on-resistance for the 1200V rating combined with excellent switching performance, translating into more efficient and Compact systems.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 166,70
€ 16,67 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Výrobné balenie (Tuba)
10
€ 166,70
€ 16,67 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Tuba)
10
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
45A
Maximální napětí na zdroji Vds
1200V
Typ balení
Hip-247
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
100mΩ
Režim kanálu
Enhancement
Maximální ztrátový výkon Pd
270W
Typický náboj brány Qg @ Vgs
105nC
Maximální napětí zdroje brány Vgs
-10, +25V
Betriebstemperatur min.
-55°C
Přímé napětí Vf
3.5V
Maximální pracovní teplota
200°C
Höhe
20.15mm
Délka
15.75mm
Normy/schválení
No
Šířka
5.15mm
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
Silicon carbide (SiC) MOSFETs feature very low static drain-source on-resistance for the 1200V rating combined with excellent switching performance, translating into more efficient and Compact systems.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
