Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
Napájecí modul SiC
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
55A
Maximální napětí na zdroji Vds
1200V
Gehäusegröße
H2PAK-7
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
7
Maximální odpor zdroje Rds
0.065Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics silicon carbide Power MOSFET is produced exploiting the advanced, innovative properties ofwide bandgap materials. This results in unsurpassed on-resistance per unit area and very good switching performance almost independent of temperature.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
P.O.A.
Štandardný
1
P.O.A.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
1
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
Napájecí modul SiC
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
55A
Maximální napětí na zdroji Vds
1200V
Gehäusegröße
H2PAK-7
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
7
Maximální odpor zdroje Rds
0.065Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics silicon carbide Power MOSFET is produced exploiting the advanced, innovative properties ofwide bandgap materials. This results in unsurpassed on-resistance per unit area and very good switching performance almost independent of temperature.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
