Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
180A
Maximální napětí na zdroji Vds
80V
Typ balení
H2PAK
Řada
STripFET H7
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
21mΩ
Režim kanálu
Enhancement
Maximální ztrátový výkon Pd
315W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
-20, +20V
Přímé napětí Vf
1.2V
Betriebstemperatur min.
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
193nC
Maximální provozní teplota
175°C
Höhe
4.8mm
Normy/schválení
No
Šířka
15.8mm
Länge
10.4mm
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 79,70
€ 3,985 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
20
€ 79,70
€ 3,985 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Cievka)
20
| Množstvo | Jednotková cena | Cievka |
|---|---|---|
| 20 - 98 | € 3,985 | € 7,97 |
| 100 - 198 | € 3,56 | € 7,12 |
| 200+ | € 3,06 | € 6,12 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
180A
Maximální napětí na zdroji Vds
80V
Typ balení
H2PAK
Řada
STripFET H7
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
21mΩ
Režim kanálu
Enhancement
Maximální ztrátový výkon Pd
315W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
-20, +20V
Přímé napětí Vf
1.2V
Betriebstemperatur min.
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
193nC
Maximální provozní teplota
175°C
Höhe
4.8mm
Normy/schválení
No
Šířka
15.8mm
Länge
10.4mm
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
