Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
15A
Maximální napětí na zdroji Vds
710V
Gehäusegröße
PowerFLAT
Řada
MDmesh M5
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
8
Maximální odpor zdroje Rds
240mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
31nC
Maximální ztrátový výkon Pd
57W
Přímé napětí Vf
1.5V
Maximální provozní teplota
150°C
Výška
1mm
Länge
5.4mm
Normy/schválení
NACE MR0175, ASME B16.34, API 607, ISO 5211
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 47,40
€ 2,37 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
20
€ 47,40
€ 2,37 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Cievka)
20
| Množstvo | Jednotková cena | Cievka |
|---|---|---|
| 20 - 98 | € 2,37 | € 4,74 |
| 100 - 198 | € 2,12 | € 4,24 |
| 200+ | € 1,82 | € 3,64 |
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
15A
Maximální napětí na zdroji Vds
710V
Gehäusegröße
PowerFLAT
Řada
MDmesh M5
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
8
Maximální odpor zdroje Rds
240mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
31nC
Maximální ztrátový výkon Pd
57W
Přímé napětí Vf
1.5V
Maximální provozní teplota
150°C
Výška
1mm
Länge
5.4mm
Normy/schválení
NACE MR0175, ASME B16.34, API 607, ISO 5211
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.