Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
Napájecí modul SiC
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
75A
Maximální napětí na zdroji Vds
1200V
Gehäusegröße
ACEPACK 2
Řada
A2F
Typ montáže
Šasi
Maximální odpor zdroje Rds
17mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální provozní teplota
-40°C
Přímé napětí Vf
1.5V
Maximální provozní teplota
175°C
Normy/schválení
UL
Automobilový standard
AEC-Q101
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics is designed as power module in four pack topology integrates advanced silicon carbide power MOSFET technology. The module leverages the innovative properties of the wide-bandgap SiC material and a high-thermal-performance substrate.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 4 026,36
€ 223,687 Each (In a Tray of 18) (bez DPH)
18
€ 4 026,36
€ 223,687 Each (In a Tray of 18) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
18
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
Napájecí modul SiC
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
75A
Maximální napětí na zdroji Vds
1200V
Gehäusegröße
ACEPACK 2
Řada
A2F
Typ montáže
Šasi
Maximální odpor zdroje Rds
17mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální provozní teplota
-40°C
Přímé napětí Vf
1.5V
Maximální provozní teplota
175°C
Normy/schválení
UL
Automobilový standard
AEC-Q101
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics is designed as power module in four pack topology integrates advanced silicon carbide power MOSFET technology. The module leverages the innovative properties of the wide-bandgap SiC material and a high-thermal-performance substrate.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
