Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Typ N, Typ P
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
9.7A
Maximální napětí na zdroji Vds
650V
Gehäusegröße
QFN-9
Řada
MASTERG
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
31
Maximální odpor zdroje Rds
220mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Typický náboj brány Qg @ Vgs
2nC
Maximální ztrátový výkon Pd
40mW
Minimální provozní teplota
-40°C
Maximální provozní teplota
125°C
Länge
9mm
Výška
1mm
Normy/schválení
RoHS, ECOPACK
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
Thailand
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics Microcontroller is an advanced power system in package integrating a gate driver and two enhancement mode GaN transistors in half‑bridge configuration. The integrated power GaNs have RDS(ON) of 150 mΩ, 650 V drain‑source blocking voltage, while the high side of the embedded gate driver can be easily supplied by the integrated bootstrap diode.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 13 266,04
€ 4,422 Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
€ 13 266,04
€ 4,422 Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
3000
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Typ N, Typ P
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
9.7A
Maximální napětí na zdroji Vds
650V
Gehäusegröße
QFN-9
Řada
MASTERG
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
31
Maximální odpor zdroje Rds
220mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Typický náboj brány Qg @ Vgs
2nC
Maximální ztrátový výkon Pd
40mW
Minimální provozní teplota
-40°C
Maximální provozní teplota
125°C
Länge
9mm
Výška
1mm
Normy/schválení
RoHS, ECOPACK
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
Thailand
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics Microcontroller is an advanced power system in package integrating a gate driver and two enhancement mode GaN transistors in half‑bridge configuration. The integrated power GaNs have RDS(ON) of 150 mΩ, 650 V drain‑source blocking voltage, while the high side of the embedded gate driver can be easily supplied by the integrated bootstrap diode.