Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
RF MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
2.5A
Maximální napětí na zdroji Vds
40V
Gehäusegröße
PowerFLAT
Řada
PD55003L-E
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
14
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální provozní teplota
-65°C
Maximální provozní teplota
150°C
Konfigurace tranzistoru
Single
Délka
5mm
Výška
0.88mm
Normy/schválení
NACE MR0175, ASME B16.34, API 607, ISO 5211
Typický výkonový zisk
19dB
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
The Radio Frequency Transistors are LDMOS suitable for L-band satellite uplinks and DMOS power transistors in applications ranging from 1 MHz to 2 GHz.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 16 022,76
€ 5,341 Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
€ 16 022,76
€ 5,341 Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
3000
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
RF MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
2.5A
Maximální napětí na zdroji Vds
40V
Gehäusegröße
PowerFLAT
Řada
PD55003L-E
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
14
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální provozní teplota
-65°C
Maximální provozní teplota
150°C
Konfigurace tranzistoru
Single
Délka
5mm
Výška
0.88mm
Normy/schválení
NACE MR0175, ASME B16.34, API 607, ISO 5211
Typický výkonový zisk
19dB
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
The Radio Frequency Transistors are LDMOS suitable for L-band satellite uplinks and DMOS power transistors in applications ranging from 1 MHz to 2 GHz.