Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
IGBT
Maximální napětí kolektoru Vceo
650V
Maximální ztrátový výkon Pd
469W
Gehäusegröße
TO-3P
Typ montáže
Through Hole
Typ kanálu
Type N
Počet kolíků
3
Spínací napětí
1MHz
Maximální napětí brány VGEO
±20 V
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT
2V
Minimální provozní teplota
-55°C
Maximální provozní teplota
175°C
Normy/schválení
RoHS
Řada
HB
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 6,26
€ 6,26 Each (bez DPH)
Štandardný
1
€ 6,26
€ 6,26 Each (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
1
| Množstvo | Jednotková cena |
|---|---|
| 1 - 9 | € 6,26 |
| 10 - 99 | € 3,75 |
| 100 - 599 | € 3,71 |
| 600+ | € 3,66 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
IGBT
Maximální napětí kolektoru Vceo
650V
Maximální ztrátový výkon Pd
469W
Gehäusegröße
TO-3P
Typ montáže
Through Hole
Typ kanálu
Type N
Počet kolíků
3
Spínací napětí
1MHz
Maximální napětí brány VGEO
±20 V
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT
2V
Minimální provozní teplota
-55°C
Maximální provozní teplota
175°C
Normy/schválení
RoHS
Řada
HB
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
