Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
BroadcomTyp montáže
Surface
Typ produktu
Optocoupler
Maximální propustné napětí
1.8V
Počet kanálů
1
Počet kolíků
8
Gehäusegröße
SO
Maximální vstupní proud
80mA
Izolační napětí
5000Vrms
Logický výstup
Yes
Minimální provozní teplota
-40°C
Maximální proudový přenosový činitel
53%
Maximální pracovní teplota
105°C
Minimální proudový přenosový činitel
19%
Normy/schválení
CSA approval, UL1577 recognised, IEC 60747-5-5 Approval for Reinforced Insulation
Řada
ACNU
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
Philippines
Podrobnosti o výrobku
The Broadcom ACNU-250L is a single-channel 1MBd optocoupler device in an 11-mm stretched SO8 package. The device is equipped with an insulating layer between the light emitting diode and integrated photon detector to provide electrical insulation between the input and output. Having separate connections for the photodiode bias and output transistor collector reduces the base-collector capacitance and enhances the data speed up to a hundred times compared to a conventional photo-transistor coupler.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 2 014,68
€ 2,015 Each (On a Reel of 1000) (bez DPH)
1000
€ 2 014,68
€ 2,015 Each (On a Reel of 1000) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
1000
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
BroadcomTyp montáže
Surface
Typ produktu
Optocoupler
Maximální propustné napětí
1.8V
Počet kanálů
1
Počet kolíků
8
Gehäusegröße
SO
Maximální vstupní proud
80mA
Izolační napětí
5000Vrms
Logický výstup
Yes
Minimální provozní teplota
-40°C
Maximální proudový přenosový činitel
53%
Maximální pracovní teplota
105°C
Minimální proudový přenosový činitel
19%
Normy/schválení
CSA approval, UL1577 recognised, IEC 60747-5-5 Approval for Reinforced Insulation
Řada
ACNU
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
Philippines
Podrobnosti o výrobku
The Broadcom ACNU-250L is a single-channel 1MBd optocoupler device in an 11-mm stretched SO8 package. The device is equipped with an insulating layer between the light emitting diode and integrated photon detector to provide electrical insulation between the input and output. Having separate connections for the photodiode bias and output transistor collector reduces the base-collector capacitance and enhances the data speed up to a hundred times compared to a conventional photo-transistor coupler.
