Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp produktu
Optocoupler
Typ montáže
Surface
Maximální propustné napětí
1.8V
Balení
Tape & Reel
Počet kanálů
1
Počet kolíků
6
Gehäusegröße
SMT
Typ vstupního proudu
DC
Typický čas náběhu
20ns
Maximální vstupní proud
10mA
Izolační napětí
3.75kVrms
Logický výstup
Yes
Minimální provozní teplota
-40°C
Maximální provozní teplota
100°C
Typický čas poklesu
10ns
Minimální proudový přenosový činitel
20%
Normy/schválení
IEC, UL, EN
Řada
H11D
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
The 4N38M, H11D1M, H11D3M, and MOC8204M are phototransistor-type optically coupled optoisolators. A gallium arsenide infrared emitting diode is coupled with a high voltage NPN silicon phototransistor. The device is supplied in a standard plastic six-pin dual-in-line package.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
P.O.A.
Each (On a Reel of 1000) (bez DPH)
1000
P.O.A.
Each (On a Reel of 1000) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
1000
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp produktu
Optocoupler
Typ montáže
Surface
Maximální propustné napětí
1.8V
Balení
Tape & Reel
Počet kanálů
1
Počet kolíků
6
Gehäusegröße
SMT
Typ vstupního proudu
DC
Typický čas náběhu
20ns
Maximální vstupní proud
10mA
Izolační napětí
3.75kVrms
Logický výstup
Yes
Minimální provozní teplota
-40°C
Maximální provozní teplota
100°C
Typický čas poklesu
10ns
Minimální proudový přenosový činitel
20%
Normy/schválení
IEC, UL, EN
Řada
H11D
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
The 4N38M, H11D1M, H11D3M, and MOC8204M are phototransistor-type optically coupled optoisolators. A gallium arsenide infrared emitting diode is coupled with a high voltage NPN silicon phototransistor. The device is supplied in a standard plastic six-pin dual-in-line package.
