Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
110A
Maximální napětí na zdroji Vds
100V
Gehäusegröße
TO-220
Řada
DeepGate, STripFET
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
3.2mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon Pd
300W
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
160nC
Přímé napětí Vf
1.2V
Maximální provozní teplota
175°C
Výška
15.75mm
Länge
10.4mm
Normy/schválení
NACE MR0175, ASME B16.34, API 607, ISO 5211
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 73,30
€ 3,665 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Výrobné balenie (Tuba)
20
€ 73,30
€ 3,665 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Tuba)
20
| Množstvo | Jednotková cena | Tuba |
|---|---|---|
| 20 - 98 | € 3,665 | € 7,33 |
| 100 - 198 | € 3,275 | € 6,55 |
| 200+ | € 2,81 | € 5,62 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
110A
Maximální napětí na zdroji Vds
100V
Gehäusegröße
TO-220
Řada
DeepGate, STripFET
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
3.2mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon Pd
300W
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
160nC
Přímé napětí Vf
1.2V
Maximální provozní teplota
175°C
Výška
15.75mm
Länge
10.4mm
Normy/schválení
NACE MR0175, ASME B16.34, API 607, ISO 5211
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
