Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
Power MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
4A
Maximální napětí na zdroji Vds
60V
Gehäusegröße
SOIC
Řada
STripFET
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
8
Maximální odpor zdroje Rds
55mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon Pd
2W
Minimální provozní teplota
150°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
15nC
Maximální provozní teplota
-55°C
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Výška
1.25mm
Délka
5mm
Normy/schválení
ANSI-ESD S20.20:2021
Počet prvků na čip
2
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 105,50
€ 2,11 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
50
€ 105,50
€ 2,11 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Cievka)
50
| Množstvo | Jednotková cena | Cievka |
|---|---|---|
| 50 - 120 | € 2,11 | € 10,55 |
| 125+ | € 1,654 | € 8,27 |
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
Power MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
4A
Maximální napětí na zdroji Vds
60V
Gehäusegröße
SOIC
Řada
STripFET
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
8
Maximální odpor zdroje Rds
55mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon Pd
2W
Minimální provozní teplota
150°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
15nC
Maximální provozní teplota
-55°C
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Výška
1.25mm
Délka
5mm
Normy/schválení
ANSI-ESD S20.20:2021
Počet prvků na čip
2
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku