Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
33A
Maximální napětí na zdroji Vds
650V
Gehäusegröße
TO-247
Řada
DM6
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
91mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Typický náboj brány Qg @ Vgs
52.5nC
Maximální ztrátový výkon Pd
250W
Minimální provozní teplota
-55°C
Maximální provozní teplota
175°C
Länge
15.75mm
Výška
20.15mm
Normy/schválení
NACE MR0175, ASME B16.34, API 607, ISO 5211
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh DM6 fast recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviours available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 148,36
€ 4,945 Each (In a Tube of 30) (bez DPH)
30
€ 148,36
€ 4,945 Each (In a Tube of 30) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
30
| Množstvo | Jednotková cena | Tuba |
|---|---|---|
| 30 - 120 | € 4,945 | € 148,36 |
| 150+ | € 4,774 | € 143,22 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
33A
Maximální napětí na zdroji Vds
650V
Gehäusegröße
TO-247
Řada
DM6
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
91mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Typický náboj brány Qg @ Vgs
52.5nC
Maximální ztrátový výkon Pd
250W
Minimální provozní teplota
-55°C
Maximální provozní teplota
175°C
Länge
15.75mm
Výška
20.15mm
Normy/schválení
NACE MR0175, ASME B16.34, API 607, ISO 5211
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
The STMicroelectronics high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh DM6 fast recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviours available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
