Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsFunkce převodníku
FVC, VFC
Typ produktu
Převodník napětí na frekvenci
Typ adaptéru
Voltage
Frekvence v plném rozsahu
1kHz
Chyba linearity
1 %FSR
Stromversorgungs-Typ
Single
Maximální napájecí napětí
30V
Minimální napájecí napětí
4.5V
Typ montáže
Surface
Gehäusegröße
SSOP
Počet kolíků
10
Minimální provozní teplota
-40°C
Maximální provozní teplota
150°C
Normy/schválení
NACE MR0175, ASME B16.34, API 607, ISO 5211
Länge
5mm
Výška
1.5mm
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
The device is a high voltage converter smartly integrating an 800 V avalanche-rugged power MOSFET with PWM current mode control. The power MOSFET with 800 V breakdown voltage allows the extended input voltage range to be applied, as well as the size of the DRAIN snubber circuit to be reduced. This IC meets the most stringent energy-saving standards as it has very low consumption and operates in pulse frequency modulation under light load.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 7,10
€ 0,71 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Štandardný
10
€ 7,10
€ 0,71 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
10
| Množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 10 - 40 | € 0,71 | € 7,10 |
| 50 - 90 | € 0,674 | € 6,74 |
| 100 - 240 | € 0,647 | € 6,47 |
| 250 - 490 | € 0,632 | € 6,32 |
| 500+ | € 0,617 | € 6,17 |
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsFunkce převodníku
FVC, VFC
Typ produktu
Převodník napětí na frekvenci
Typ adaptéru
Voltage
Frekvence v plném rozsahu
1kHz
Chyba linearity
1 %FSR
Stromversorgungs-Typ
Single
Maximální napájecí napětí
30V
Minimální napájecí napětí
4.5V
Typ montáže
Surface
Gehäusegröße
SSOP
Počet kolíků
10
Minimální provozní teplota
-40°C
Maximální provozní teplota
150°C
Normy/schválení
NACE MR0175, ASME B16.34, API 607, ISO 5211
Länge
5mm
Výška
1.5mm
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
The device is a high voltage converter smartly integrating an 800 V avalanche-rugged power MOSFET with PWM current mode control. The power MOSFET with 800 V breakdown voltage allows the extended input voltage range to be applied, as well as the size of the DRAIN snubber circuit to be reduced. This IC meets the most stringent energy-saving standards as it has very low consumption and operates in pulse frequency modulation under light load.