Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
11A
Maximální napětí na zdroji Vds
600V
Gehäusegröße
TO-220FP
Řada
MDmesh
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
360mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon Pd
25W
Typický náboj brány Qg @ Vgs
30nC
Maximální napětí zdroje brány Vgs
25V
Minimální provozní teplota
-55°C
Přímé napětí Vf
1.2V
Maximální provozní teplota
150°C
Délka
10.4mm
Normy/schválení
NACE MR0175, ASME B16.34, API 607, ISO 5211
Výška
16.4mm
Šířka
4.6mm
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the second generation of MDmesh technology. These revolutionary Power MOSFETs associate a vertical structure to the companys strip layout to yield one of the worlds lowest on-resistance and gate charge. They are therefore suitable for the most demanding high-efficiency converters.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 4,57
€ 4,57 Each (bez DPH)
Štandardný
1
€ 4,57
€ 4,57 Each (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
1
| Množstvo | Jednotková cena |
|---|---|
| 1 - 9 | € 4,57 |
| 10 - 99 | € 2,42 |
| 100 - 499 | € 2,17 |
| 500+ | € 1,86 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
11A
Maximální napětí na zdroji Vds
600V
Gehäusegröße
TO-220FP
Řada
MDmesh
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
360mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon Pd
25W
Typický náboj brány Qg @ Vgs
30nC
Maximální napětí zdroje brány Vgs
25V
Minimální provozní teplota
-55°C
Přímé napětí Vf
1.2V
Maximální provozní teplota
150°C
Délka
10.4mm
Normy/schválení
NACE MR0175, ASME B16.34, API 607, ISO 5211
Výška
16.4mm
Šířka
4.6mm
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the second generation of MDmesh technology. These revolutionary Power MOSFETs associate a vertical structure to the companys strip layout to yield one of the worlds lowest on-resistance and gate charge. They are therefore suitable for the most demanding high-efficiency converters.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
